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半導体レーザー技術の進歩は大きな変革をもたらし、これらのレーザーの性能、動作効率、耐久性が大幅に向上しました。高出力バージョンは、レーザー製造、治療用医療機器、ビジュアルディスプレイソリューションでの商業用途から、地上と地球外の戦略的通信、および高度なターゲティングシステムに至るまで、幅広い用途で採用されることが増えています。これらの洗練されたレーザーは、いくつかの最先端産業分野の最前線にあり、先進国間の世界的な技術競争の中心となっています。
次世代のレーザー ダイオード バー スタックの紹介
より小型でより効率的なデバイスの推進を受け入れる当社は、誇りを持って伝導冷却シリーズLM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0。このシリーズは、最先端の真空融合接合、界面材料、融合技術、および動的熱管理を組み込んで、高度に統合され、驚くべき効率で動作し、持続的な信頼性とより長い耐用年数を実現する優れた熱制御を誇る製品を実現する飛躍的な進歩を表しています。 。
業界全体の小型化への移行による電力集中需要の増大という課題に応えるため、当社は先駆的な LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 ユニットを設計しました。従来のバー製品のピッチを0.73mmから0.38mmまで大幅に縮小し、スタックの発光面積を大幅に圧縮した画期的なモデルです。最大 10 個のバーを収容できるこの機能強化により、デバイスの出力が 2000 W 以上に増幅され、以前の製品に比べて光パワー密度が 92% 増加しました。
モジュラー設計
当社の LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 モデルは、緻密なエンジニアリングの典型であり、比類のない多用途性を提供するコンパクトなデザインと機能を融合しています。耐久性のある構造と最高級のコンポーネントの使用により、最小限のメンテナンスで一貫した運用が保証され、運用の中断と関連コストが削減されます。これは、工業製造や医療などの分野において重要な利点です。
熱管理ソリューションの先駆者
LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 は、バーの熱膨張係数 (CTE) と一致する優れた熱伝導性材料を利用し、均一性と優れた熱分散を保証します。当社は有限要素解析を適用してデバイスの熱状況を予測および管理し、過渡状態と定常状態の熱モデリングの革新的な組み合わせを通じて正確な温度制御を実現します。
厳格なプロセス管理
伝統的でありながら効果的な硬はんだ溶接法を遵守し、当社の細心の注意を払ったプロセス制御プロトコルは最適な熱放散を維持し、製品の動作上の完全性と安全性および寿命を守ります。
製品仕様
LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 モデルは、小型のフォームファクタ、軽量化、優れた電気光変換効率、堅牢な信頼性、および動作寿命の延長が特徴です。
| パラメータ | 仕様 |
| 製品型式 | LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 |
| 動作モード | QCW |
| パルス周波数 | ≤50Hz |
| パルス幅 | 200us |
| 効率 | 1%以下 |
| バーピッチ | 0.38mm |
| バーごとのパワー | 200W |
| バーの数 | ～10 |
| 中心波長（25℃） | 808nm |
| スペクトル幅 | 2nm |
| スペクトル幅半値幅 | ≤4nm |
| 90% パワー幅 | ≤6nm |
| 速軸ダイバージェンス (FWHM) | 35 (標準) ° |
| 遅軸発散 (FWHM) | 8 (標準) ° |
| 冷却方法 | TE |
| 波長温度係数 | ≤0.28nm/℃ |
| 動作電流 | ≤220A |
| 閾値電流 | ≤25A |
| 動作電圧 | ≤2V |
| バーごとのスロープ効率 | ≥1.1 W/A |
| 変換効率 | ≥55% |
| 動作温度 | -45～70℃ |
| 保管温度 | -55～85℃ |
| 耐用年数 | ≥1×10⁹ ショット |
カスタマイズされた高出力、コンパクトな半導体レーザー ソリューション
当社の前衛的でコンパクトな高出力半導体レーザー スタックは、適応性が高いように設計されています。バー数、出力、波長などの個々の顧客の仕様に合わせてカスタマイズできる当社の製品は、多用途で革新的なソリューションを提供するという当社の取り組みの証です。これらのユニットのモジュール式フレームワークにより、さまざまな用途に合わせてカスタマイズでき、多様な顧客に対応できます。パーソナライズされたソリューションの先駆者としての当社の取り組みは、比類のない出力密度を備えたバー製品の開発につながり、これまで不可能だった方法でユーザー エクスペリエンスを向上させました。
投稿日時: 2023 年 12 月 25 日